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BAS16J	文件：150.73 Kbytes Page：20 Pages	High-speed switching diodes General description High-speed switching diodes, encapsulated in small Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. Features ■ High switching speed: trr ≤ 4 ns ■ Low capacitance ■ Low leakage current ■ Reverse voltage: VR ≤ 100 V ■ Repetitive peak reverse voltage: VRRM ≤ 1 文件：150.73 Kbytes 页数：20 Pages	恩XP	恩XP
BAS16J	文件：220.37 Kbytes Page：8 Pages	丝印：AR；Package：SC-90；High-speed switching diode 1. General description High-speed switching diode, encapsulated in a very small and flat lead SOD323F Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 2. Features and benefits • High switching speed: trr ≤ 4 ns • Low capacitance • Low leakage current • Reverse voltage: VR ≤ 100 V • Repetiti 文件：220.37 Kbytes 页数：8 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BAS16J	文件：773.33 Kbytes Page：21 Pages	丝印：AR；Package：SC-90；High-speed switching diodes Features and benefits  High switching speed: trr  4 ns  Low leakage current  Repetitive peak reverse voltage: VRRM  100 V  AEC-Q101 qualified  Low capacitance  Reverse voltage: VR  100 V  Small SMD plastic packages 文件：773.33 Kbytes 页数：21 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BAS16J	文件：773.63 Kbytes Page：21 Pages	High-speed switching diodes General description High-speed switching diodes, encapsulated in small Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages Applications  High-speed switching  General-purpose switching 文件：773.63 Kbytes 页数：21 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BAS16J	文件：191.82 Kbytes Page：10 Pages	Single high-speed switching diode General description High-speed switching diodes, encapsulated in small Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. Features ■ High switching speed: trr ≤ 4 ns ■ Low capacitance ■ Low leakage current ■ Reverse voltage: VR ≤ 100 V ■ Repetitive peak reverse voltage: VRRM ≤ 1 文件：191.82 Kbytes 页数：10 Pages	恩XP	恩XP
BAS16J	文件：150.73 Kbytes Page：20 Pages	High-speed switching diodes General description High-speed switching diodes, encapsulated in small Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. Features ■ High switching speed: trr ≤ 4 ns ■ Low capacitance ■ Low leakage current ■ Reverse voltage: VR ≤ 100 V ■ Repetitive peak reverse voltage: VRRM ≤ 1 文件：150.73 Kbytes 页数：20 Pages	恩XP	恩XP
BAS16J	文件：150.73 Kbytes Page：20 Pages	High-speed switching diodes 文件：150.73 Kbytes 页数：20 Pages	恩XP	恩XP
BAS16J	文件：150.73 Kbytes Page：20 Pages	High-speed switching diodes 文件：150.73 Kbytes 页数：20 Pages	恩XP	恩XP
BAS16J	文件：150.73 Kbytes Page：20 Pages	High-speed switching diodes, encapsulated in small Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages 文件：150.73 Kbytes 页数：20 Pages	恩XP	恩XP
BAS16J-Q	文件：190.63 Kbytes Page：10 Pages	丝印：AR；Package：SC-90；High-speed switching diode 1. General description High-speed switching diode, encapsulated in a very small and flat lead SOD323F Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 2. Features and benefits • High switching speed: trr ≤ 4 ns • Low capacitance • Low leakage current • Reverse voltage: VR ≤ 100 V • Repetiti 文件：190.63 Kbytes 页数：10 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA

详细参数

型号：
BAS16J
功能描述：
二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
产品：
Switching Diodes
峰值反向电压：
600 V
正向连续电流：
200 A
最大浪涌电流：
800 A
恢复时间：
2000 ns
正向电压下降：
1.25 V
最大反向漏泄电流：
300 uA
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
ISOTOP
封装：
Tube

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