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| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
APT44F80B2 | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 47A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.21Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c 文件：372.32 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
APT44F80B2 | N-Channel FREDFET 文件：431.29 Kbytes 页数：4 Pages | Microsemi 美高森美 | Microsemi | |
APT44F80B2 | FREDFETs | Microchip 微芯科技 | Microchip | |
SOT-227 | APT | |||
TO-247 | APT |
详细参数
- 型号：
APT44F80B2
- 功能描述：
MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
POWER MOS 8™
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
APTMICROSEMI |
17+ |
T-MAXB2 |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
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MICROSEMI/美高森美 |
2025+ |
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MICROSEMI |
25+23+ |
T-MAX |
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MICROSEMI |
19+ |
T-MAX |
32000 |
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Microch |
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NA |
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DIOS |
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SOT-23 |
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MICROSEMI |
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TO-247 |
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MICROSEMI/美高森美 |
22+ |
T-MAX |
14100 |
原装正品 |
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