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APT45GP120BG	文件：9.86083 Mbytes Page：44 Pages	Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs 文件：9.86083 Mbytes 页数：44 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
APT45GP120BG	文件：2.83336 Mbytes Page：44 Pages	Power Semiconductors Power Modules 文件：2.83336 Mbytes 页数：44 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
APT45GP120BG	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT w/o anti-parallel diode	Microchip 微芯科技	Microchip
APT45GP120BG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 100A 625W TO247	Microchip 微芯科技	Microchip

产品属性

产品编号：
APT45GP120BG
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
POWER MOS 7®
包装：
管件
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.9V @ 15V，45A
开关能量：
900µJ（开），904µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
18ns/102ns
测试条件：
600V，45A，5 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247 [B]
描述：
IGBT 1200V 100A 625W TO247

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