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APT6029BLLG	文件：169.72 Kbytes Page：5 Pages	POWER MOS 7 MOSFETc POWER MOS 7® MOSFET Power MOS 7® is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7® by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7® combines lower conduction and switching losses alon 文件：169.72 Kbytes 页数：5 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
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APT6029SFLL	文件：71.45 Kbytes Page：2 Pages	Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. 文件：71.45 Kbytes 页数：2 Pages	ADPOW	ADPOW
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KIA6029Z	文件：314.95 Kbytes Page：14 Pages	BIPOLAR LINEAR INTEGRATED CIRCUIT (FM IF SYSTEM IC FOR CAR ETR) FM IF SYSTEM IC FOR CAR ETR. 文件：314.95 Kbytes 页数：14 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC

详细参数

型号：
APT6029BLLG
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 21A TO-247
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
POWER MOS 7®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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