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APT64GA90B2D30	文件：2.83333 Mbytes Page：44 Pages	Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs POWERMOS7®MOSFET PowerMOS7®isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7®bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7®combineslowerconductionandswitchinglossesalon	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
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Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

POWERMOS7®MOSFET PowerMOS7®isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7®bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7®combineslowerconductionandswitchinglossesalon

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Package：TO-247-3 变式；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 900V 117A 500W TO-247

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

Microchip

产品属性

产品编号：
APT64GA90B2D30
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
POWER MOS 8™
包装：
管件
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.1V @ 15V，38A
开关能量：
1192µJ（开），1088µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
18ns/131ns
测试条件：
600V，38A，4.7 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3 变式
描述：
IGBT 900V 117A 500W TO-247

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