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APT66M60L | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 70A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =75mΩ(Max) ·100 avalanche tested DESCRIPTION ·Switch Mode Power Supply (SMPS) ·Uninterruptible Power Supply (UPS) ·Power Factor Correction (PFC) 文件：328.36 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
APT66M60L | N-Channel MOSFET 文件：398.16 Kbytes 页数：4 Pages | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI | |
APT66M60L | N-Channel MOSFET 文件：132.79 Kbytes 页数：4 Pages | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI | |
APT66M60L | isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：299.68 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
APT66M60L | MOSFET | Microchip 微芯科技 | Microchip |
详细参数
- 型号：
APT66M60L
- 功能描述：
MOSFET N-CH 600V 70A TO-264
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
POWER MOS 8™
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Microch |
20+ |
NA |
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原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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Microsemi Corporation |
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TO-264-3,TO-264AA |
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专注配单,只做原装进口现货 |
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MOTOROLA |
CAN |
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