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APT75GP120B2G	文件：9.86083 Mbytes Page：44 Pages	Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
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APT75GP120B2G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 变式类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 100A 1042W TMAX	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司
APT75GP120B2	文件：97.35 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOS7IGBT	ADPOW Advanced Power Technology

产品属性

产品编号：
APT75GP120B2G
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
POWER MOS 7®
包装：
管件
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.9V @ 15V，75A
开关能量：
1620µJ（开），2500µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
20ns/163ns
测试条件：
600V，75A，5 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3 变式
描述：
IGBT 1200V 100A 1042W TMAX

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