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APTCV60HM45BT3G	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V/PFC + Bypass + Full bridge/Si Mosfet modules Super junction MOSFETUltra low RDSonLow Miller capacitanceUltra low gate chargeAvalanche energy ratedIGBT3 Low voltage dropLow tail currentSwitching frequency up to 20 kHzLow leakage currentKelvin source for easy driveLow stray inductanceInternal thermistor for temperature monitoring (optional)Outst • Configuration: PFC + Bypass + Full bridge\n• VDSS (V): 600\n• RDSon (mR) typ: 45\n• Current (A) Tc=80C: 38\n• Silicon type: Super Junction Mosfet/TRENCH \n• Package: SP3F;	Microchip 微芯科技	Microchip
APTCV60HM45BT3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SP3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MODULE 600V 50A 250W SP3	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP
APTDF400KK170G	文件：0 bytes Page：0 Pages	MODULE	MICROCHIP/微芯上传：深圳市恒佳微电子有限公司	MICROCHIP/微芯
APTDR90X1601G	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIP	MICROSEMI 美高森美上传：浙江永芯科技有限公司	MICROSEMI
APW7080KAI-TRG	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP-8	ANPEC 茂达电子上传：深圳市宇集芯电子有限公司	ANPEC

产品属性

产品编号：
APTCV60HM45BT3G
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
包装：
散装
IGBT 类型：
沟槽型场截止
配置：
升压斩波器，全桥
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 15V，50A
输入：
标准
NTC 热敏电阻：
是
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
SP3
供应商器件封装：
SP3
描述：
IGBT MODULE 600V 50A 250W SP3

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