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| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
APT85GR120L | Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs POWER MOS 7® MOSFET Power MOS 7® is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7® by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7® combines lower conduction and switching losses alon 文件：2.83333 Mbytes 页数：44 Pages | Microsemi 美高森美 | Microsemi | |
APT85GR120L | Power Semiconductors Power Modules 文件：2.83336 Mbytes 页数：44 Pages | Microsemi 美高森美 | Microsemi | |
APT85GR120L | NPT IGBT & Trench IGBT ROHS | Microchip 微芯科技 | Microchip | |
APT85GR120L | Package：TO-264-3，TO-264AA；包装：托盘 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 1200V 170A 962W TO264 | Microchip 微芯科技 | Microchip |
产品属性
- 产品编号：
APT85GR120L
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
托盘
- IGBT 类型：
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.2V @ 15V，85A
- 开关能量：
6mJ（开），3.8mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
43ns/300ns
- 测试条件：
600V，85A，4.3 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-264-3，TO-264AA
- 供应商器件封装：
TO-264
- 描述：
IGBT 1200V 170A 962W TO264
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Microsemi |
25+23+ |
TO264 |
22553 |
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MICROSEMI |
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原装正品 |
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