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APT94N65B2C3G | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 94A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 35mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：361.33 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
APT94N65B2C3G | Super Junction MOSFET 文件：152.11 Kbytes 页数：5 Pages | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI | |
APT94N65B2C3G | Super Junction MOSFET 文件：166.45 Kbytes 页数：5 Pages | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI | |
APT94N65B2C3G | MOSFET | Microchip 微芯科技 | Microchip |
详细参数
- 型号：
APT94N65B2C3G
- 功能描述：
MOSFET N-CH 650V 94A TO-247
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
CoolMOS™
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROSEMI/美高森美 |
24+ |
TO-247 |
26800 |
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APT |
24+ |
TO-247 |
5000 |
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MICROSEMI |
25+23+ |
TO-247 |
35289 |
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18+ |
TO247 |
85600 |
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MICROSEMI |
19+ |
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NA |
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Microsemi |
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