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APT70GR120B2	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPT IGBT & Trench IGBT; ROHS	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
APT70GR120B2	文件：2.83333 Mbytes Page：44 Pages	Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs POWERMOS7®MOSFET PowerMOS7®isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7®bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7®combineslowerconductionandswitchinglossesalon	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
APT70GR120B2	文件：2.83336 Mbytes Page：44 Pages	Power Semiconductors Power Modules	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
APT70GR120B2	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 160A 961W TO247	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
APT75GN120LG	文件：0 bytes Page：0 Pages	MIC TO-247	MICMIC GROUP RECTIFIERS 昌福电子昌福电子有限公司相关企业：深圳市汇创佳电子科技有限公司	MIC

产品属性

产品编号：
APT70GR120B2
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
托盘
IGBT 类型：
NPT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.2V @ 15V，70A
开关能量：
3.82mJ（开），2.58mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
33ns/278ns
测试条件：
600V，70A，4.3 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247
描述：
IGBT 1200V 160A 961W TO247

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