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APT65GP60B2G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 变式类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 100A 833W TMAX	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司
APT65GP60B2	文件：91.62 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOS7IGBT	ADPOW Advanced Power Technology

产品属性

产品编号：
APT65GP60B2G
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
POWER MOS 7®
包装：
管件
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，65A
开关能量：
605µJ（开），896µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
30ns/91ns
测试条件：
400V，65A，5 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3 变式
描述：
IGBT 600V 100A 833W TMAX

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