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APT65GP60B2G	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT w/o anti-parallel diode ROHS	Microchip 微芯科技	Microchip
APT65GP60B2G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3 变式；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 100A 833W TMAX	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP
APT65GP60B2	文件：91.62 Kbytes Page：6 Pages	POWER MOS 7 IGBT 文件：91.62 Kbytes 页数：6 Pages	ADPOW	ADPOW
APT75GN120LG	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-247	MIC 昌福电子上传：深圳市汇创佳电子科技有限公司	MIC
APT75GN60LDQ3G	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-264	MIC 昌福电子上传：深圳市汇创佳电子科技有限公司	MIC

产品属性

产品编号：
APT65GP60B2G
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
POWER MOS 7®
包装：
管件
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，65A
开关能量：
605µJ（开），896µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
30ns/91ns
测试条件：
400V，65A，5 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3 变式
描述：
IGBT 600V 100A 833W TMAX

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