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APT5010B2LLG	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET ROHS	Microchip 微芯科技	Microchip
APT5010B2VFR	文件：64.629 Kbytes Page：4 Pages	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. POWER MOS V® FREDFET Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. 文件：64.629 Kbytes 页数：4 Pages	ADPOW	ADPOW
APT5010B2VR	文件：61.79 Kbytes Page：4 Pages	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. • Faster Switching 文件：61.79 Kbytes 页数：4 Pages	ADPOW	ADPOW
APT5010B2VR	文件：66.57 Kbytes Page：4 Pages	New T-MAX??Package (Clip-mounted TO-247 Package) 文件：66.57 Kbytes 页数：4 Pages	ADPOW	ADPOW

详细参数

型号：
APT5010B2LLG
功能描述：
MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
POWER MOS 7®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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