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厂商型号

APT5010B2VR

功能描述

Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

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61.79 Kbytes

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4

生产厂商

ADPOW

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更新时间

2025-12-8 15:58:00

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APT5010B2VR规格书详情

Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.

• Faster Switching

• 100 Avalanche Tested

• Lower Leakage

• New T-MAX™ Package (Clip-mounted TO-247 Package)

产品属性

  • 型号:

    APT5010B2VR

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 500V 47A T-MAX

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    POWER MOS V®

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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