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APT50GP60B2DQ2G

POWER MOS 7 IGBT

ADPOW

Advanced Power Technology

APT50GP60B2DQ2G

Package:TO-247-3 变式;包装:托盘 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 150A 625W TMAX

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

APT50GP60B2DQ2

POWERMOS7IGBT

ADPOW

Advanced Power Technology

产品属性

  • 产品编号:

    APT50GP60B2DQ2G

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    POWER MOS 7®

  • 包装:

    托盘

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,50A

  • 开关能量:

    465µJ(开),635µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    19ns/85ns

  • 测试条件:

    400V,50A,4.3 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3 变式

  • 描述:

    IGBT 600V 150A 625W TMAX

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更多APT50GP60B2DQ2G供应商 更新时间2025-7-26 9:05:00