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APT50GP60B2DQ2G数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

APT50GP60B2DQ2G

参数属性

APT50GP60B2DQ2G 封装/外壳为TO-247-3 变式;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 150A 625W TMAX

功能描述

IGBT w/ anti-parallel diode
IGBT 600V 150A 625W TMAX

封装外壳

TO-247-3 变式

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 微芯科技股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 12:20:00

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APT50GP60B2DQ2G规格书详情

描述 Description

ROHS

简介

APT50GP60B2DQ2G属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的APT50GP60B2DQ2G晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    APT50GP60B2DQ2G

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    POWER MOS 7®

  • 包装:

    托盘

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,50A

  • 开关能量:

    465µJ(开),635µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    19ns/85ns

  • 测试条件:

    400V,50A,4.3 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3 变式

  • 描述:

    IGBT 600V 150A 625W TMAX

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