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|---|---|---|---|---|
APT4M120K | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 1200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 3.8Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co 文件：332.52 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
APT4M120K | N-Channel MOSFET 文件：254.01 Kbytes 页数：4 Pages | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI | |
APT4M120K | N-Channel MOSFET ROHS | Microchip 微芯科技 | Microchip | |
SOT-227 | APT | |||
TO-247 | APT |
详细参数
- 型号：
APT4M120K
- 功能描述：
MOSFET N-CH 1200V 5A TO220
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
-
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
25+ |
50 |
公司现货库存 |
询价 | ||||
APTMICROSEMI |
17+ |
TO-220K |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
询价 | ||
APT |
24+ |
TO220 |
10000 |
只有原装 |
询价 | ||
APT |
24+ |
TO-220-3 |
8866 |
询价 | |||
APT |
22+ |
TO-220K |
8200 |
原装现货库存.价格优势!! |
询价 | ||
APT |
23+ |
TO-220 |
8650 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
询价 | ||
APT |
18+ |
TO-220 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
Microsemi |
25+ |
TO-247-3 |
5600 |
正常排单原厂正规渠道保证原装正品 |
询价 | ||
Microch |
20+ |
NA |
33560 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
APT |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
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