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APT44GA60B

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APT44GA60B

MICROSEMI

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原装正品

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APT44GA60B

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APT44GA60B

MICROSEMITO-247

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APT44GA60BD30C

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MICROCHIP/微芯TO-3P

32360

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APT44GA60BD30

MicrochNA

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深圳市威雅利发展有限公司

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APT44GA60BD30C

APTTO-247

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深圳雄芯伟创科技有限公司

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APT44GA60BD30CIC

APT/晶科电子TO-247

6000

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原装正品

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APT44GA60BD30C

MICROSETO-3P

1523

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APT44GA60BD30C

MICROSEMI/美高森美TO-264

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深圳市川科科技有限公司

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APT44GA60BD30

MICROSEMI-美高森美TO-247-3

6328

24+25+/26+27+
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APT44GA60BD30C

MICROSEMI-美高森美TO-247-3

78800

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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司

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APT44GA60BD30C

APTTO-247

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APT44GA60BD30C

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APT44GA60B价格：￥44.2119品牌：Microsemi

生产厂家品牌为Microsemi的APT44GA60B多少钱，想知道APT44GA60B价格是多少？参考价：￥44.2119。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，APT44GA60B批发价格及采购报价，APT44GA60B销售排行榜及行情走势，APT44GA60B报价。

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APT44GA60B功能描述:IGBT 600V 78A 337W TO-247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:POWER MOS 8™ 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件

APT44GA60BD30功能描述:IGBT 600V 78A 337W TO-247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:POWER MOS 8™ 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件

APT44GA60BD30C功能描述:IGBT 600V 78A 337W TO247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:POWER MOS 8™ 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件

产品属性

  • 产品编号：

    APT44GA60B

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列：

    POWER MOS 8™

  • 包装：

    管件

  • IGBT 类型：

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：

    2.5V @ 15V，26A

  • 开关能量：

    409µJ（开），258µJ（关）

  • 输入类型：

    标准

  • 25°C 时 Td（开/关）值：

    16ns/84ns

  • 测试条件：

    400V，26A，4.7 欧姆，15V

  • 工作温度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安装类型：

    通孔

  • 封装/外壳：

    TO-247-3

  • 供应商器件封装：

    TO-247 [B]

  • 描述：

    IGBT 600V 78A 337W TO-247

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