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APT44GA60BD30C

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 78A 337W TO247

Microsemi

美高森美

APT44GA60BD30

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

POWER MOS 7® MOSFET Power MOS 7® is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7® by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7® combines lower conduction and switching losses alon

文件:2.83333 Mbytes 页数:44 Pages

Microsemi

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APT44GA60BD30

Power Semiconductors Power Modules

文件:2.83336 Mbytes 页数:44 Pages

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APT44GA60BD30

High Speed PT IGBT

文件:247.51 Kbytes 页数:9 Pages

Microsemi

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产品属性

  • 产品编号:

    APT44GA60BD30C

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    POWER MOS 8™

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.6V @ 15V,26A

  • 开关能量:

    409µJ(开),450µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    16ns/102ns

  • 测试条件:

    400V,26A,4.7 欧姆,15V

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247 [B]

  • 描述:

    IGBT 600V 78A 337W TO247

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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