| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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APT/晶科电子TO-247 |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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MicrochNA |
33560 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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APTMICROSEMITO-247B |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市宇集芯电子有限公司9年
留言
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MicrosemiN/A |
5600 |
23+ |
正常排单原厂正规渠道保证原装正品 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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MICROSEMI-美高森美TO-247-3 |
6328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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MICROSEMITO-247 |
38520 |
19+ |
一级代理/放心购买 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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APTTO-247B |
6000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市瑞智芯科技有限公司3年
留言
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MICROCHIP1 |
545 |
进口原装 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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APTTO-247B |
8400 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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APTTO-247B |
8400 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Microsemi CorporationTO247 [B] |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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瑞航达科技(深圳)有限公司6年
留言
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MICROSEMI |
638 |
原装正品 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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APTTO-247B |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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APTTO-247B |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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MICROSEMITO-247 |
326 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Microsemi CorporationTO247 [B] |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司7年
留言
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MicrosemiCorporationTO-247[B] |
56800 |
19+ |
只卖原装正品!价格超越代理!可开增值税发票! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Microsemi CorporationTO247 [B] |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市保之丰科技有限公司2年
留言
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MICROCHIP3 |
545 |
22+ |
只做原装,有挂就有货。 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
38160 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
APT44GA60BD30采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
APT44GA60BD30图片
APT44GA60BD30价格
APT44GA60BD30价格：￥54.3570品牌：Microsemi
生产厂家品牌为Microsemi的APT44GA60BD30多少钱，想知道APT44GA60BD30价格是多少？参考价：￥54.3570。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，APT44GA60BD30批发价格及采购报价，APT44GA60BD30销售排行榜及行情走势，APT44GA60BD30报价。
APT44GA60BD30中文资料Alldatasheet PDF
更多APT44GA60BD30功能描述:IGBT 600V 78A 337W TO-247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:POWER MOS 8™ 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
APT44GA60BD30C功能描述:IGBT 600V 78A 337W TO247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:POWER MOS 8™ 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
产品属性
- 产品编号：
APT44GA60BD30
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
POWER MOS 8™
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
PT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，26A
- 开关能量：
409µJ（开），258µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
16ns/84ns
- 测试条件：
400V，26A，4.7 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247 [B]
- 描述：
IGBT 600V 78A 337W TO-247
