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APT50GN60BDQ2G

IGBT

ADPOW

Advanced Power Technology

APT50GN60BDQ2G

Resonant Mode Combi IGBT

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT50GN60BDQ2G

Power Semiconductors Power Modules

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT50GN60BDQ2G

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT50GN60BDQ2G

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 107A 366W TO247

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

APT50GN60BDQ2

ResonantModeCombiIGBT

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT50GN60BDQ2

IGBT

ADPOW

Advanced Power Technology

产品属性

  • 产品编号:

    APT50GN60BDQ2G

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.85V @ 15V,50A

  • 开关能量:

    1185µJ(开),1565µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    20ns/230ns

  • 测试条件:

    400V,50A,4.3 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247 [B]

  • 描述:

    IGBT 600V 107A 366W TO247

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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TO247 [B]
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更多APT50GN60BDQ2G供应商 更新时间2025-7-24 17:33:00