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APM9435K	文件：1.5172 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
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APM9435KC-TR	文件：117.18 Kbytes Page：10 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-30V/-4.6A, RDS(ON)=52mΩ(typ.)@VGS=-10V RDS(ON)=80mΩ(typ.)@VGS=-4.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookCompute	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
APM9435KC-TRL	文件：117.18 Kbytes Page：10 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-30V/-4.6A, RDS(ON)=52mΩ(typ.)@VGS=-10V RDS(ON)=80mΩ(typ.)@VGS=-4.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookCompute	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
APM9435KC-TRL	文件：961.47 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
APM9435KC-TU	文件：123.06 Kbytes Page：9 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-30V/-4.6A,RDS(ON)=52mΩ(typ.)@VGS=-10V RDS(ON)=80mΩ(typ.)@VGS=-4.5V •SuperHighDensityCellDesign •ReliableandRugged •SO-8Package Applications •PowerManagementinNotebookComputer,Port	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
ASM9435	文件：1.74842 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
B9435	文件：1.2113 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
BLM9435	文件：281.24 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BellingSHANGHAI BELLING CO., LTD. 上海贝岭上海贝岭股份有限公司	Belling
BM9435A	文件：118.48 Kbytes Page：8 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET	booklyBookly Micro electronic 百力微电子上海百力微电子股份有限公司	bookly
BU9435KV	文件：173.29 Kbytes Page：4 Pages	SiliconMonolithicintregratedcircuit	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
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CEM9435	文件：815.02 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-5A,RDS(ON)=60mW@VGS=-10V. RDS(ON)=95mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEM9435A	文件：499.65 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET FEATURES ■-30V,-5.3A,RDS(ON)=50mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=90mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■SurfacemountPackage. ■Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
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CET9435A	文件：501.99 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-5.3A,RDS(ON)=60mW@VGS=-10V. RDS(ON)=120mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-223package. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
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更多APM9435ADR供应商更新时间2024-9-22 11:09:00

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