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AM2309E3SR	文件：446.69 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The AM2309 is available in SOT-23S package. FEATURES  VDS = -20V RDS(ON), VGS@-4.5V, IDS@-2.8A =100mΩ RDS(ON), VGS@-2.5V, IDS@-2.0A =150mΩ  Advanced trench process technology  High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance  Fully Characterized Avalanche Voltage and 文件：446.69 Kbytes 页数：7 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
AM2309E3SVR	文件：446.69 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The AM2309 is available in SOT-23S package. FEATURES  VDS = -20V RDS(ON), VGS@-4.5V, IDS@-2.8A =100mΩ RDS(ON), VGS@-2.5V, IDS@-2.0A =150mΩ  Advanced trench process technology  High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance  Fully Characterized Avalanche Voltage and 文件：446.69 Kbytes 页数：7 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
AM2401G	文件：0 bytes Page：0 Pages	LGA44	AM 上传：深圳市富芯乐电子科技有限公司	AM
AM2631CNDGHAZCZR	文件：0 bytes Page：0 Pages	原厂封装	TI/德州仪器上传：深圳市腾胜芯科技有限公司	TI/德州仪器
AM2631CODGHMZCZRQ1	文件：0 bytes Page：0 Pages	原厂封装	TI/德州仪器上传：深圳市腾胜芯科技有限公司	TI/德州仪器

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