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AM2312E3SVR	文件：464.65 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The AM2312 is available in SOT-23S package. FEATURES  VDS= 20V RDS(ON), VGS@4.5V, IDS@5.0A = 41mΩ RDS(ON), VGS@2.5V, IDS@4.5A = 47mΩ  Advanced trench process technology  High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance  Capable of 2.5V gate drive  Lower on-resistanc 文件：464.65 Kbytes 页数：8 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
AM2312E3SR	文件：464.65 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The AM2312 is available in SOT-23S package. FEATURES  VDS= 20V RDS(ON), VGS@4.5V, IDS@5.0A = 41mΩ RDS(ON), VGS@2.5V, IDS@4.5A = 47mΩ  Advanced trench process technology  High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance  Capable of 2.5V gate drive  Lower on-resistanc 文件：464.65 Kbytes 页数：8 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
AM2320	文件：0 bytes Page：0 Pages	AOSONG 传感器	AOSONG 上传：齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	AOSONG
AM2401G	文件：0 bytes Page：0 Pages	AM LGA44	AM 上传：深圳市富芯乐电子科技有限公司	AM
AM2631CNDGHAZCZR	文件：0 bytes Page：0 Pages	TI/德州仪器原厂封装	TI/德州仪器上传：深圳市腾胜芯科技有限公司	TI/德州仪器

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