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AM2312E3SVR中文资料创瑞科技数据手册PDF规格书

AM2312E3SVR
厂商型号

AM2312E3SVR

功能描述

MOSFET 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

文件大小

464.65 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 AiT Semiconductor Inc.
企业简称

AITSEMI创瑞科技

中文名称

AiT创瑞科技官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-3 23:00:00

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AM2312E3SVR规格书详情

DESCRIPTION

The AM2312 is available in SOT-23S package.

FEATURES

 VDS= 20V

RDS(ON), VGS@4.5V, IDS@5.0A = 41mΩ

RDS(ON), VGS@2.5V, IDS@4.5A = 47mΩ

 Advanced trench process technology

 High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance

 Capable of 2.5V gate drive

 Lower on-resistance

 Available in SOT-23S Package

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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