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AM2318	文件：334.18 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DESCRIPTION TheAM2318isavailableinSOT-23package. FEATURES 20V/2.0A, RDS(ON)=80mΩ(MAX)@VGS=4.5V RDS(ON)=90mΩ(MAX)@VGS=2.5V SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ReliableandRugged. AvailableinSOT-23Package APPLICATION PowerManagement 	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
AM2318E3R	文件：334.18 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DESCRIPTION TheAM2318isavailableinSOT-23package. FEATURES 20V/2.0A, RDS(ON)=80mΩ(MAX)@VGS=4.5V RDS(ON)=90mΩ(MAX)@VGS=2.5V SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ReliableandRugged. AvailableinSOT-23Package APPLICATION PowerManagement 	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
AM2318E3VR	文件：334.18 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DESCRIPTION TheAM2318isavailableinSOT-23package. FEATURES 20V/2.0A, RDS(ON)=80mΩ(MAX)@VGS=4.5V RDS(ON)=90mΩ(MAX)@VGS=2.5V SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ReliableandRugged. AvailableinSOT-23Package APPLICATION PowerManagement 	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
AM2318N	文件：330.78 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET KeyFeatures: •LowrDS(on)trenchtechnology •Lowthermalimpedance •Fastswitchingspeed TypicalApplications: •WhiteLEDboostconverters •AutomotiveSystems •IndustrialDC/DCConversionCircuits	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
2318	文件：21.48 Kbytes Page：1 Pages	BandpassFilter	KRKR Electronics, Inc. KR Electronics, Inc.	KR
2318	文件：992.1 Kbytes Page：8 Pages	LowVoltageandPowerApplications	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2318DFO	文件：992.1 Kbytes Page：8 Pages	LowVoltageandPowerApplications	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2318-H-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2318-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2318-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductorsHorizontalorverticalmount	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2318-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2318-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2318-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
AP2318	文件：851.32 Kbytes Page：16 Pages	600mAULDOREGULATORWITHENABLE	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司	BCDSEMI
AP2318A	文件：709.03 Kbytes Page：13 Pages	1AULDOREGULATORWITHENABLE	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司	BCDSEMI
AP2318AGEN-HF	文件：64.84 Kbytes Page：4 Pages	Capableof2.5VGateDrive,SmallOutlinePackage,SurfaceMountDevice	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP2318BEN	文件：68.65 Kbytes Page：5 Pages	FastSwitchingPerformance	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP2318GEN	文件：72.01 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP2318GEN-HF	文件：103.42 Kbytes Page：4 Pages	Capableof2.5VGateDrive,SmallOutlinePackage	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
APM2318A	文件：113.26 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •30V/3A, RDS(ON)=35mΩ(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=40mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=60mΩ(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentand	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC

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详细参数

型号：
AM2318
制造商：
ANALOGPOWER
制造商全称：
ANALOGPOWER
功能描述：
N-Channel 30-V(D-S) MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市百视威讯电子科技有限公司	AM2318		23+	N/A	30650	正品授权货源可靠	询价
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深圳诚思涵科技有限公司	AM2318N-T1-PF		16+	SOT-23	41120	鍏ㄦ柊鍘熻鐜拌揣/浠锋牸鍙皥!	询价
深圳市正川电子有限公司	AM2318N-T1-PF	ANALOGPOWER	15+	SOT-23	3090	现货-ROHO	询价
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司	AM2318N-T1-PF	ANALOG	23+	SOT23-3	36000	原装现货	询价
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