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AM2317	文件：825.78 Kbytes Page：9 Pages	MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION TheAM2317isavailableinSOT-23package. FEATURES -20V/-4.6A, RDS(ON)=48mΩ(Max.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=70mΩ(Max.)@VGS=-2.5V RDS(ON)=110mΩ(Max.)@VGS=-1.8V ReliableandRugged AvailableinSOT-23Package APPLICATIONS PowerManagementinNotebookComputer,P	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
AM2317A	文件：651.7 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION AM2317AistheP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareusingtrenchDMOStechnology.Thisadvancedtrenchtechnologydevicesarewellsuitedforhighefficiencyfastswitchingapplications,lowin-linepowerlossareneededinsmalloutlinesurfacemountpackage.	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
AM2317AE3SR	文件：651.7 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION AM2317AistheP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareusingtrenchDMOStechnology.Thisadvancedtrenchtechnologydevicesarewellsuitedforhighefficiencyfastswitchingapplications,lowin-linepowerlossareneededinsmalloutlinesurfacemountpackage.	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
AM2317AE3SVR	文件：651.7 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION AM2317AistheP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareusingtrenchDMOStechnology.Thisadvancedtrenchtechnologydevicesarewellsuitedforhighefficiencyfastswitchingapplications,lowin-linepowerlossareneededinsmalloutlinesurfacemountpackage.	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
AM2317B	文件：660.47 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET -20V SINGLE P-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION V DS20V V GS=±8V ID(A)= 5.3A R DS(ON)ON)=31mΩ(Typ.)@VGS4.5V R DS(ON)ON)=40mΩ(Typ.)@VGS2.5V R DS(ON)50mΩ(Typ.)@VGS1.8V R DS(ON)60mΩ(Typ.)@VGS1.5V TheAM2317BisavailableinSOT-23package. FEATURES TrechDMOSTechnology 1.5VLowgatedri	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
AM2317BE3R	文件：660.47 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET -20V SINGLE P-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION V DS20V V GS=±8V ID(A)= 5.3A R DS(ON)ON)=31mΩ(Typ.)@VGS4.5V R DS(ON)ON)=40mΩ(Typ.)@VGS2.5V R DS(ON)50mΩ(Typ.)@VGS1.8V R DS(ON)60mΩ(Typ.)@VGS1.5V TheAM2317BisavailableinSOT-23package. FEATURES TrechDMOSTechnology 1.5VLowgatedri	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
AM2317BE3VR	文件：660.47 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET -20V SINGLE P-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION V DS20V V GS=±8V ID(A)= 5.3A R DS(ON)ON)=31mΩ(Typ.)@VGS4.5V R DS(ON)ON)=40mΩ(Typ.)@VGS2.5V R DS(ON)50mΩ(Typ.)@VGS1.8V R DS(ON)60mΩ(Typ.)@VGS1.5V TheAM2317BisavailableinSOT-23package. FEATURES TrechDMOSTechnology 1.5VLowgatedri	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
AM2317E3R	文件：825.78 Kbytes Page：9 Pages	MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION TheAM2317isavailableinSOT-23package. FEATURES -20V/-4.6A, RDS(ON)=48mΩ(Max.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=70mΩ(Max.)@VGS=-2.5V RDS(ON)=110mΩ(Max.)@VGS=-1.8V ReliableandRugged AvailableinSOT-23Package APPLICATIONS PowerManagementinNotebookComputer,P	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
AM2317E3VR	文件：825.78 Kbytes Page：9 Pages	MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION TheAM2317isavailableinSOT-23package. FEATURES -20V/-4.6A, RDS(ON)=48mΩ(Max.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=70mΩ(Max.)@VGS=-2.5V RDS(ON)=110mΩ(Max.)@VGS=-1.8V ReliableandRugged AvailableinSOT-23Package APPLICATIONS PowerManagementinNotebookComputer,P	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
AM2317P	文件：243.37 Kbytes Page：6 Pages	P - Channel Logic Level MOSFET TheseminiaturesurfacemountMOSFETsutilizeahighcelldensitytrenchprocesstoprovidelowrDS(on)andtoensureminimalpowerlossandheatdissipation.TypicalapplicationsareDC-DCconvertersandpowermanagementinportableandbattery-poweredproductssuchascomputers,printers,PCMCIA	AnalogPower Analog Power	AnalogPower

详细参数

型号：
AM2317
制造商：
ANALOGPOWER
制造商全称：
ANALOGPOWER
功能描述：
P - Channel Logic Level MOSFET

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