AIMZH120R080M1T规格书应用电路供应商报价-114ic电子网

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
AIMZH120R080M1T	文件：1.7576 Mbytes Page：15 Pages	CoolSiC™ 1200 V SiC Trench MOSFET Features •VDSS=1200VatTvj=-55...175°C •IDDC=31AatTC=25°C •RDS(on)=80mΩatVGS=20V,Tvj=25°C •Newperformance-optimizedchiptechnology(Gen1p)withimprovedRDSon*AFOM •Increasedrecommendedturn-onvoltage(VGS(on)=20V)forlowerRDS(on) •Bestinclassswitc	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AIMBG120R080M1	文件：1.52812 Mbytes Page：15 Pages	CoolSiC™1200VSiCTrenchMOSFET Features •VDSS=1200VatTvj=-55...175°C •IDDC=30AatTC=25°C •RDS(on)=80mΩatVGS=20V,Tvj=25°C •Newperformance-optimizedchiptechnology(Gen1p)withimprovedRDSon*AFOM •Bestinclassswitchingenergyforlowerswitchinglossesandreducedcoolingefforts •Lowes	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AIMW120R080M1	文件：843.07 Kbytes Page：17 Pages	SiliconCarbideMOSFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AIMZHN120R080M1T	文件：1.79801 Mbytes Page：15 Pages	CoolSiC™1200VSiCTrenchMOSFET Features •VDSS=1200VatTvj=-55...175°C •IDDC=31AatTC=25°C •RDS(on)=80mΩatVGS=20V,Tvj=25°C •Newperformance-optimizedchiptechnology(Gen1p)withimprovedRDSon*AFOM •Increasedrecommendedturn-onvoltage(VGS(on)=20V)forlowerRDS(on) •Bestinclassswitc	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

更多AIMZH120R080M1T供应商更新时间2024-6-19 14:08:00