采用小型 SMD 封装的世界一流低成本电源，适用于快速开关应用

英飞凌的 650V TRENCHSTOP ™ 5 AUTO 技术提高了电动和混合动力汽车的效率。其 IGBT 技术可最大限度地减少损耗，最大限度地提高车载充电器、PFC 和 DC/AC 等应用的效率。这将延长电动汽车的行驶里程或缩小电动汽车电池的尺寸，并降低混合动力汽车的燃料消耗。TRENCHSTOP ™ 5 AUTO 提供了一种比 MOSFET 更经济的替代方案，而 D²PAK 等 SMD 外壳则降低了系统成本并增强了质量控制。 • 采用低 VCEsat 的 TRENCHSTOP ™技术\n• 650V 击穿电压，40A 标称电流\n• 极快的开关速度（高达 150kHz）\n• 符合汽车标准\n• 最高结温 175 °C\n• 最高效率，低传导损耗\n• 极低的开关损耗\n• 极低的结温和外壳温度\n• 采用 SMD D2PAK 封装，组装成本低\n• 极其坚固耐用;

Infineon

英飞凌

丝印：AG40EH5；Package：PG-TO263-3；High speed IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology

Features and Benefits: High speed H5 technology offering: • Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies • Plug and play replacement of previous generation IGBTs • 650V breakdown voltage • Low gate charge QG • Maximum junction temperature 175°C • Dynamically stress te

文件：1.46575 Mbytes 页数：14 Pages

Infineon

英飞凌

Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：DISCRETE SWITCHES

Infineon

英飞凌

High speed fast IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology

文件：1.79311 Mbytes 页数：14 Pages

Infineon

英飞凌

BIDW40N65H5 Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

Features n 650 V, 40 A, Low Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)) n Novel trench-gate field-stop technology n Optimized for conduction n High-speed switching n Maximum operating Tj = 175 °C n RoHS compliant* Applications n Switched-Mode Power Supplies (SMPS) n Uninterruptible

文件：1.25339 Mbytes 页数：11 Pages

Bourns

伯恩斯

650V IGBT high speed switching series fifth generation

文件：2.30811 Mbytes 页数：15 Pages

Infineon

英飞凌