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IGP40N65H5	文件：2.30811 Mbytes Page：15 Pages	650V IGBT high speed switching series fifth generation	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IGP40N65H5	文件：2.48832 Mbytes Page：15 Pages	High speed 5 IGBT in TRENCHSTOP 5 technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IGP40N65H5XKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 650V 74A TO220-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IGW40N65H5	文件：2.30811 Mbytes Page：15 Pages	650VIGBThighspeedswitchingseriesfifthgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IGW40N65H5	文件：2.48832 Mbytes Page：15 Pages	Highspeed5IGBTinTRENCHSTOP5technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IGW40N65H5A	文件：1.85245 Mbytes Page：14 Pages	Highspeedswitchingseriesfifthgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKP40N65H5	文件：2.56662 Mbytes Page：18 Pages	650VDuoPackIGBTanddiodeHighspeedswitchingseriesfifthgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKP40N65H5	文件：2.74034 Mbytes Page：18 Pages	650VDuoPackIGBTandDiodeHighspeedswitchingseriesfifthgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKW40N65H5	文件：342.51 Kbytes Page：2 Pages	IGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.1V@IC=40A ·HighSpeedSwitching ·LowPowerLoss APPLICATIONS ·IndustrialPowerSupplies ·IndustrialDrives ·SolarInverters	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
IGP40N65H5
功能描述：
IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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更多IGP40N65H5供应商更新时间2025-5-17 23:00:00

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