AIGB40N65H5中文资料采用小型 SMD 封装的世界一流低成本电源，适用于快速开关应用数据手册Infineon规格书

描述 Description

英飞凌的 650V TRENCHSTOP ™ 5 AUTO 技术提高了电动和混合动力汽车的效率。其 IGBT 技术可最大限度地减少损耗，最大限度地提高车载充电器、PFC 和 DC/AC 等应用的效率。这将延长电动汽车的行驶里程或缩小电动汽车电池的尺寸，并降低混合动力汽车的燃料消耗。TRENCHSTOP ™ 5 AUTO 提供了一种比 MOSFET 更经济的替代方案，而 D²PAK 等 SMD 外壳则降低了系统成本并增强了质量控制。

特性 Features

• 采用低 VCEsat 的 TRENCHSTOP ™技术
• 650V 击穿电压，40A 标称电流
• 极快的开关速度（高达 150kHz）
• 符合汽车标准
• 最高结温 175 °C
• 最高效率，低传导损耗
• 极低的开关损耗
• 极低的结温和外壳温度
• 采用 SMD D2PAK 封装，组装成本低
• 极其坚固耐用

应用 Application

• 汽车电池管理系统(BMS) - 高电压

简介

AIGB40N65H5属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的AIGB40N65H5晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。