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AIGW40N65H5	文件：1.79311 Mbytes Page：14 Pages	Marking：AG40EH5；Package：PG-TO247-3；High speed fast IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
AIGW40N65H5XKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 650V TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BIDW40N65H5	文件：1.25339 Mbytes Page：11 Pages	BIDW40N65H5InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT) Features n650V,40A,LowCollector-Emitter SaturationVoltage(VCE(sat)) nNoveltrench-gatefield-stoptechnology nOptimizedforconduction nHigh-speedswitching nMaximumoperatingTj=175°C nRoHScompliant* Applications nSwitched-ModePowerSupplies(SMPS) nUninterruptible	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
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IKP40N65H5	文件：2.74034 Mbytes Page：18 Pages	650VDuoPackIGBTandDiodeHighspeedswitchingseriesfifthgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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