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A2G35S160-01S	文件：325.82 Kbytes Page：10 Pages	RF Power GaN Transistor	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
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A2G35S160-01SR3	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：NI-400S-2S 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

产品属性

产品编号：
A2G35S160-01SR3
制造商：
NXP USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
LDMOS
频率：
3.4GHz ~ 3.6GHz
增益：
15.7dB
功率 - 输出：
51dBm
封装/外壳：
NI-400S-2S
供应商器件封装：
NI-400S-2S
描述：
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

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