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A2G35S160-01S分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
A2G35S160-01S |
| 参数属性 | A2G35S160-01S 封装/外壳为NI-400S-2S；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频；产品描述：AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR |
| 功能描述 | RF Power GaN Transistor |
| 文件大小 |
325.82 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | NXP Semiconductors |
| 企业简称 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名称 | 恩智浦半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-9-24 18:34:00 |
A2G35S160-01S规格书详情
A2G35S160-01S属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频。恩智浦半导体公司制造生产的A2G35S160-01S晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
更多- 产品编号：
A2G35S160-01SR3
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
LDMOS
- 频率：
3.4GHz ~ 3.6GHz
- 增益：
15.7dB
- 功率 - 输出：
51dBm
- 封装/外壳：
NI-400S-2S
- 供应商器件封装：
NI-400S-2S
- 描述：
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
N/A |
21+ |
QFN |
9800 |
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询价 | ||
FREESCALE |
23+ |
NA |
5000 |
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询价 | ||
GP |
23+ |
SOT23-5 |
15000 |
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CIT Relay and Switch |
23+ |
原厂封装 |
436 |
现货常备产品原装 |
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MP |
22+ |
SOT23-5 |
25000 |
只做原装,原装,假一罚十 |
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NXP USA Inc. |
2022+ |
NI-400S-2S |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
NXP USA Inc. |
24+ |
NI-400S-2S |
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NXP |
172 |
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23+ |
MSOP-8 |
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现货 |
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