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A2I09VD030GNR1

RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

TheA2I09VD030Nwidebandintegratedcircuitisdesignedwithon−chip matchingthatmakesitusablefrom575to1300MHz.Thismulti−stage structureisratedfor48to55Voperationandcoversalltypicalcellularbase stationmodulationformats. Features •On−chipmatching(50ohminput,D

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A2I09VD030GNR1

RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

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更多A2I09VD030GNR1供应商 更新时间2025-7-29 15:26:00