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A2I09VD030GNR1

RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

TheA2I09VD030Nwidebandintegratedcircuitisdesignedwithon−chip matchingthatmakesitusablefrom575to1300MHz.Thismulti−stage structureisratedfor48to55Voperationandcoversalltypicalcellularbase stationmodulationformats. Features •On−chipmatching(50ohminput,D

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

A2I09VD030GNR1

RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

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恩智浦恩智浦半导体公司

A2I09VD030GNR1

Package:TO-270-15 变型,鸥翼;包装:托盘 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器 描述:IC RF AMP TO270WBG-15

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

产品属性

  • 产品编号:

    A2I09VD030GNR1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器

  • 包装:

    托盘

  • P1dB:

    33.3dB

  • 增益:

    34.3dB

  • 电压 - 供电:

    48V

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-270-15 变型,鸥翼

  • 供应商器件封装:

    TO-270WBG-15

  • 描述:

    IC RF AMP TO270WBG-15

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更多A2I09VD030GNR1供应商 更新时间2025-5-22 23:01:00