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A2G35S160-01SR3分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

A2G35S160-01SR3
厂商型号

A2G35S160-01SR3

参数属性

A2G35S160-01SR3 封装/外壳为NI-400S-2S;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

功能描述

RF Power GaN Transistor
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

文件大小

325.82 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 NXP Semiconductors
企业简称

nxp恩智浦

中文名称

恩智浦半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-16 11:36:00

A2G35S160-01SR3规格书详情

A2G35S160-01SR3属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。恩智浦半导体公司制造生产的A2G35S160-01SR3晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

产品属性

  • 产品编号:

    A2G35S160-01SR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    3.4GHz ~ 3.6GHz

  • 增益:

    15.7dB

  • 功率 - 输出:

    51dBm

  • 封装/外壳:

    NI-400S-2S

  • 供应商器件封装:

    NI-400S-2S

  • 描述:

    AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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