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A2G26H281-04SR3分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
A2G26H281-04SR3 |
| 参数属性 | A2G26H281-04SR3 封装/外壳为NI-780S-4L；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频；产品描述：AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR |
| 功能描述 | RF Power GaN Transistor |
| 文件大小 |
270.08 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | NXP Semiconductors |
| 企业简称 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名称 | 恩智浦半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-23 16:00:00 |
A2G26H281-04SR3规格书详情
A2G26H281-04SR3属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频。恩智浦半导体公司制造生产的A2G26H281-04SR3晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
- 产品编号：
A2G26H281-04SR3
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
LDMOS
- 频率：
2.496GHz ~ 2.69GHz
- 增益：
14.2dB
- 功率 - 输出：
50W
- 封装/外壳：
NI-780S-4L
- 供应商器件封装：
NI-780S-4L
- 描述：
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FREESCALE |
23+ |
NA |
41 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
NXP USA Inc. |
2022+ |
NI-780S-4L |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
NXP USA Inc. |
24+ |
NI-780S-4L |
9350 |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
询价 | ||
MP |
22+ |
SOT23-5 |
25000 |
只做原装,原装,假一罚十 |
询价 | ||
NXP USA Inc. |
24+ |
NI-780S-4L |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
询价 | ||
Freescale |
16+ |
41 |
全新进口原装 |
询价 | |||
NXP Semiconductors |
22+ |
Na |
2864 |
航宇科工半导体-中国航天科工集团战略合作伙伴! |
询价 | ||
23+ |
N/A |
78300 |
一级代理放心采购 |
询价 | |||
NXP |
23+ |
NI-400S-2S |
139 |
确保原装正品,一站式配单-认准水星电子。 |
询价 | ||
FREESCALE |
2021+ |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 |
