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A2G22S190-01SR3分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

A2G22S190-01SR3
厂商型号

A2G22S190-01SR3

参数属性

A2G22S190-01SR3 包装为带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

功能描述

RF Power GaN Transistor

文件大小

188.97 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 NXP Semiconductors
企业简称

nxp恩智浦

中文名称

恩智浦半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-23 11:48:00

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产品属性

  • 产品编号:

    A2G22S190-01SR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

  • 描述:

    AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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