71V67602数据手册集成电路（IC）的存储器规格书PDF
71V67602规格书详情
描述 Description
The 71V67602 3.3V CMOS SRAM is organized as 256K x 36. The 71V676 SRAM contains write, data, address and control registers. Internal logic allows the SRAM to generate a self-timed write based upon a decision which can be left until the end of the write cycle. The burst mode feature offers the highest level of performance to the system designer, as it can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM.
特性 Features
High system speed 166MHz (3.5ns clock access time)
LBO input selects interleaved or linear burst mode
Self-timed write cycle with global write control (GW), byte
write enable (BWE), and byte writes (BWx)
3.3V core power supply
Power down controlled by ZZ input
2.5V I/O supply (VDDQ)
Available in 100-pin TQFP and 119-pin BGA packages
技术参数
- 产品编号：
71V67602S133BGG8
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
卷带（TR）
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM - 同步，SDR
- 存储容量：
9Mb（256K x 36）
- 存储器接口：
并联
- 电压 - 供电：
3.135V ~ 3.465V
- 工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
119-BGA
- 供应商器件封装：
119-PBGA（14x22）
- 描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IDT, Integrated Device Technol |
21+ |
90-VFBGA |
5280 |
进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营 |
询价 | ||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
24+ |
TQFP100(14x20) |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
IDT |
08+ |
QFP |
878 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
71V67602S133BG |
3583 |
3583 |
询价 | ||||
IDT |
2450+ |
QFP |
6540 |
只做原厂原装正品终端客户免费申请样品 |
询价 | ||
IDT |
23+ |
NA |
10726 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
Renesas |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
Renesas Electronics Corporatio |
23+/24+ |
119-BGA |
8600 |
只供原装进口公司现货+可订货 |
询价 | ||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
2022+原装正品 |
TQFP-100(14x14) |
18000 |
支持工厂BOM表配单 公司只做原装正品货 |
询价 | ||
RENESAS(瑞萨电子) |
22+ |
NA |
500000 |
万三科技,秉承原装,购芯无忧 |
询价 |
