71V3577中文资料3.3V 128K x 36 Synchronous Flow-Through SRAM w/3.3V I/O数据手册Renesas规格书
71V3577规格书详情
描述 Description
The 71V3577 3.3V CMOS SRAM is organized as 128K x 36. The 71V3577 SRAM contains write, data, address and control registers. The burst mode feature offers the highest level of performance to the system designer, as it can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM.
特性 Features
Fast access times - 7.5ns up to 117MHz clock frequency
LBO input selects interleaved or linear burst mode
Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write enable (BWE), and byte writes (BWx)
3.3V core power supply
Power down controlled by ZZ input
3.3V I/O
Optional - Boundary Scan JTAG Interface (IEEE 1149.1 compliant)
Available in 100-pin TQFP, 119-pin BGA and 165 fpBGA packages
技术参数
- 产品编号：
71V3577S65PFG8
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
托盘
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM - 同步，SDR
- 存储容量：
4.5Mb（128K x 36）
- 存储器接口：
并联
- 电压 - 供电：
3.135V ~ 3.465V
- 工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
100-LQFP
- 供应商器件封装：
100-TQFP（14x14）
- 描述：
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
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