首页>71V35761>规格书详情

71V35761数据手册集成电路(IC)的存储器规格书PDF

PDF无图
厂商型号

71V35761

参数属性

71V35761 封装/外壳为119-BGA;包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA

功能描述

3.3V 128K x 36 Synchronous PipeLined Burst SRAM w/3.3V I/O

封装外壳

119-BGA

制造商

Renesas Renesas Technology Corp

中文名称

瑞萨 瑞萨科技有限公司

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-8-13 9:50:00

人工找货

71V35761价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

71V35761规格书详情

描述 Description

The 71V35761 3.3V CMOS SRAM is organized as 128K x 36. It contains write, data, address and control registers. The burst mode feature offers the highest level of performance to the system designer, as the 71V35761 can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM.

特性 Features

High system speed 200MHz (3.1ns clock access time)
LBO input selects interleaved or linear burst mode
Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write
enable (BWE), and byte writes (BWx)
3.3V core power supply
Power down controlled by ZZ input
3.3V I/O
Optional - Boundary Scan JTAG Interface (IEEE 1149.1
compliant)
Available in 100-pin TQFP, 119-pin BGA and 165 fpBGA packages

技术参数

  • 产品编号:

    71V35761S166BG8

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 同步,SDR

  • 存储容量:

    4.5Mb(128K x 36)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    119-BGA

  • 供应商器件封装:

    119-PBGA(14x22)

  • 描述:

    IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Integrated Device Technology (
2022+
1
全新原装 货期两周
询价
IDT
23+
TQFP
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
IDT
2223+
TQFP
26800
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
询价
IDT
23+
TQFP
5000
专注配单,只做原装进口现货
询价
IDT
24+
TQFP
20000
全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!!
询价
IDT
23+
SOJ32
5000
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
询价
IDT
BGA
68500
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
询价
Renesas
25+
电联咨询
7800
公司现货,提供拆样技术支持
询价
Renesas
25+
25000
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票!
询价
IDT
2402+
BGA
8324
原装正品!实单价优!
询价