71V25761数据手册集成电路（IC）的存储器规格书PDF
| 厂商型号 |
71V25761 |
| 参数属性 | 71V25761 封装/外壳为119-BGA；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA |
| 功能描述 | 3.3V 128K x 36 Synchronous PipeLined Burst SRAM with 2.5V I/O |
| 封装外壳 | 119-BGA |
| 制造商 | Renesas Renesas Technology Corp |
| 中文名称 | 瑞萨 瑞萨科技有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-13 16:30:00 |
| 人工找货 | 71V25761价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
71V25761规格书详情
描述 Description
The 71V25761 3.3V CMOS Synchronous SRAM is organized as 128K x 36and contains write, data, address and control registers. The burst mode feature offers the highest level of performance to the system designer, as the 71V25761 can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM.
特性 Features
High system speed 200MHz (3.1ns clock access time)
LBO input selects interleaved or linear burst mode
Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write enable (BWE), and byte writes (BWx)
3.3V core power supply
Power down controlled by ZZ input
2.5V I/O
Optional - Boundary Scan JTAG Interface (IEEE 1149.1 Compliant)
Available in 100-pin TQFP and 119-pin BGA packages
技术参数
- 产品编号：
71V25761S166BG8
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
卷带（TR）
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM - 同步，SDR
- 存储容量：
4.5Mb（128K x 36）
- 存储器接口：
并联
- 电压 - 供电：
3.135V ~ 3.465V
- 工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
119-BGA
- 供应商器件封装：
119-PBGA（14x22）
- 描述：
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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