71V3576中文资料3.3V 128K x 36 Synchronous PipeLined Burst SRAM w/3.3V I/O数据手册Renesas规格书
71V3576规格书详情
描述 Description
The 71V3576 3.3V CMOS SRAM is organized as 128K x 36. The 71V3576 SRAM contains write, data, address and control registers. The burst mode feature offers the highest level of performance to the system designer, as it can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM.
特性 Features
High system speed 150MHz (3.8ns clock access time)
LBO input selects interleaved or linear burst mode
Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write enable (BWE), and byte writes (BWx)
3.3V core power supply
Power down controlled by ZZ input
3.3V I/O
Available in 100-pin TQFP package
技术参数
- 产品编号：
71V35761S166BG8
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
托盘
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM - 同步，SDR
- 存储容量：
4.5Mb（128K x 36）
- 存储器接口：
并联
- 电压 - 供电：
3.135V ~ 3.465V
- 工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
119-BGA
- 供应商器件封装：
119-PBGA（14x22）
- 描述：
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IDT |
16+ |
QFP |
4000 |
进口原装现货/价格优势! |
询价 | ||
IDT |
22+ |
QFP |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
2022+原装正品 |
PBGA-119(14x22) |
18000 |
支持工厂BOM表配单 公司只做原装正品货 |
询价 | ||
IDT |
23+ |
TQFP |
5000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
IDT |
0444+ |
QFP |
1000 |
原装正品 |
询价 | ||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
2447 |
TQFP-100(14x14) |
315000 |
72个/托盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长 |
询价 | ||
RENESAS |
5 |
询价 | |||||
IDT(Renesas收购) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
IDT |
2450+ |
SMD |
6540 |
只做原厂原装正品终端客户免费申请样品 |
询价 | ||
IDT |
BGA |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 |
