71V3579数据手册集成电路（IC）的存储器规格书PDF
71V3579规格书详情
描述 Description
The 71V3579 3.3V CMOS SRAM is organized as 256K x 18. The 71V3579 SRAM contains write, data, address and control registers. The burst mode feature offers the highest level of performance to the system designer, as it can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM.
特性 Features
Fast access time 7.5ns up to 117MHz clock frequency
LBO input selects interleaved or linear burst mode
Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write
enable (BWE), and byte writes (BWx)
3.3V core power supply
Power down controlled by ZZ input
3.3V I/O
Available in 100 -pin TQFP package
技术参数
- 产品编号：
71V3579S65PFG8
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
托盘
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM - 同步，SDR
- 存储容量：
4.5Mb（256K x 18）
- 存储器接口：
并联
- 电压 - 供电：
3.135V ~ 3.465V
- 工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
100-LQFP
- 供应商器件封装：
100-TQFP（14x20）
- 描述：
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IDT |
23+ |
QFP |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
IDT |
1948+ |
QFP |
6852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
询价 | ||
IDT |
23+ |
QFP |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 | ||
Renesas |
25+ |
电联咨询 |
7800 |
公司现货,提供拆样技术支持 |
询价 | ||
IDT, |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
IDT |
24+ |
5000 |
原装现货,特价销售 |
询价 | |||
IDT |
23+ |
LINEAR |
5 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
Renesas Electronics Corporatio |
23+/24+ |
100-LQFP |
8600 |
只供原装进口公司现货+可订货 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
82000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
Renesas Electronics America In |
25+ |
100-LQFP |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 |
