71V3579中文资料3.3V 256K x 18 Synchronous Flow-Through SRAM w/3.3V I/O数据手册Renesas规格书
71V3579规格书详情
描述 Description
The 71V3579 3.3V CMOS SRAM is organized as 256K x 18. The 71V3579 SRAM contains write, data, address and control registers. The burst mode feature offers the highest level of performance to the system designer, as it can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM.
特性 Features
Fast access time 7.5ns up to 117MHz clock frequency
LBO input selects interleaved or linear burst mode
Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write
enable (BWE), and byte writes (BWx)
3.3V core power supply
Power down controlled by ZZ input
3.3V I/O
Available in 100 -pin TQFP package
技术参数
- 产品编号：
71V3579S65PFG8
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
托盘
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM - 同步，SDR
- 存储容量：
4.5Mb（256K x 18）
- 存储器接口：
并联
- 电压 - 供电：
3.135V ~ 3.465V
- 工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
100-LQFP
- 供应商器件封装：
100-TQFP（14x20）
- 描述：
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IDT |
25+ |
TQFP100 |
572 |
全新原装正品支持含税 |
询价 | ||
IDT |
23+ |
QFP |
9920 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
2022+原装正品 |
TQFP-100(14x14) |
18000 |
支持工厂BOM表配单 公司只做原装正品货 |
询价 | ||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
2447 |
TQFP-100(14x20) |
315000 |
72个/托盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长 |
询价 | ||
IDT |
01+ |
1796 |
优势货源原装正品 |
询价 | |||
INTEGRATEDDEVICETECHNOLO |
24+ |
780 |
询价 | ||||
原装IDT |
1922+ |
QFP |
6800 |
只做全新原装公司现货价格优惠可谈 |
询价 | ||
IDT, |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
IDT |
24+ |
NA/ |
3322 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
24+ |
TQFP100(14x20) |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 |
