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RM60N100T2

丝印:60N100;Package:TO-220;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

General Features Special process technology for high ESD capability High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current Good stability and uniformity with high EAS Excellent package for good heat dissipation VDS =100V,ID =60A RDS(ON) =9.2mΩ(typical

文件:1.2596 Mbytes 页数:7 Pages

RECTRON

丽正国际

60N100

NPT-Trench IGBT

文件:682.03 Kbytes 页数:7 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

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更多60N100供应商 更新时间2025-9-14 11:06:00