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RM60N100T2中文资料丽正国际数据手册PDF规格书

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厂商型号

RM60N100T2

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

丝印标识

60N100

封装外壳

TO-220

文件大小

1.2596 Mbytes

页面数量

7

生产厂商

RECTRON

中文名称

丽正国际

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数据手册

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更新时间

2025-10-6 20:00:00

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RM60N100T2规格书详情

General Features

Special process technology for high ESD capability

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized avalanche voltage and current

Good stability and uniformity with high EAS

Excellent package for good heat dissipation

VDS =100V,ID =60A

RDS(ON) =9.2mΩ(typical) @ VGS=10V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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