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RM60N100T2中文资料RECTRON数据手册PDF规格书

RM60N100T2
厂商型号

RM60N100T2

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

丝印标识

60N100

封装外壳

TO-220

文件大小

1.2596 Mbytes

页面数量

7

生产厂商 Rectron Semiconductor
企业简称

RECTRON

中文名称

Rectron Semiconductor官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-16 8:12:00

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RM60N100T2规格书详情

General Features

Special process technology for high ESD capability

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized avalanche voltage and current

Good stability and uniformity with high EAS

Excellent package for good heat dissipation

VDS =100V,ID =60A

RDS(ON) =9.2mΩ(typical) @ VGS=10V

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