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RM60N100T2	文件：1.2596 Mbytes Page：7 Pages	丝印：60N100；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Features Special process technology for high ESD capability High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current Good stability and uniformity with high EAS Excellent package for good heat dissipation VDS =100V,ID =60A RDS(ON) =9.2mΩ(typical 文件：1.2596 Mbytes 页数：7 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RM60N100T2	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Rectron 丽正国际	Rectron
RM6203	文件：0 bytes Page：0 Pages	亚成微 DIP-8	亚成微上传：深圳市赛尔通科技有限公司	亚成微
RM621A	文件：0 bytes Page：0 Pages	RM DIP-16	RM 上传：深圳市赛尔通科技有限公司	RM
RM632-204-192-9500-918	文件：0 bytes Page：0 Pages	AirBorn AirBorn	AIRBORN 上传：深圳市能元时代电子有限公司	AIRBORN

技术参数

Id @ 25C (A)：
57 A
Rds-on (typ) (mOhms)：
12 mOhms
Total Gate Charge (nQ) typ：
95 nQ
Maximum Power Dissipation (W)：
170 W
Vgs(th) (typ)：
3.0 V
Input Capacitance (Ciss)：
4400 pF
Polarity：
N-Channel
Mounting Style：
Through Hole
Package / Case：
TO-220

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更多RM60N100T2供应商更新时间2025-10-6 11:06:00

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