丝印：3055；Package：SOT223；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

GENERAL FEATURES 60V, 4A, Rps(on) = 85mQ @Vgs = 10V. Rpsion) = 100mQ @Vgs = 4.5V. High dense cell design for extremely low Rps(on)- Rugged and reliable. Lead free product is acquired. SOT-223 package.

文件：1.94103 Mbytes 页数：5 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

丝印：3055；Package：SOT223；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

GENERAL FEATURES 60V, 4A, Rps(on) = 85mQ @Vgs = 10V. Rpsion) = 100mQ @Vgs = 4.5V. High dense cell design for extremely low Rps(on)- Rugged and reliable. Lead free product is acquired. SOT-223 package.

文件：1.94154 Mbytes 页数：5 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

丝印：3055；Package：SOT-23-3；N-Channel MOSFET

文件：609.73 Kbytes 页数：3 Pages

KEXIN

科信电子

丝印：3055L；Package：SOT-223；N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：873.32 Kbytes 页数：4 Pages

KEXIN

科信电子

丝印：3055L；Package：SOT-223；Power MOSFET 3.0 A, 60 V, Logic Level, N?묬hannel SOT??23

文件：80.8 Kbytes 页数：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

丝印：3055L；Package：SOT-223；3.0 A, 60 V, Logic Level, N.Channel SOT??23

文件：79.23 Kbytes 页数：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

丝印：3055L；Package：SOT-223；Power MOSFET

文件：81.84 Kbytes 页数：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

丝印：3055L；Package：SOT-223；N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：370.28 Kbytes 页数：4 Pages

SECOS

喜可士

丝印：3050D6；Package：DIP6；500V 300mA Opto-MOS

文件：851.2 Kbytes 页数：7 Pages

SILICON-TOP

硅兆光电科技

丝印：3050S6；Package：SMD6；500V 300mA Opto-MOS

文件：851.2 Kbytes 页数：7 Pages

SILICON-TOP

硅兆光电科技