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NTF3055-100T1G

丝印:3055;Package:SOT223;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

GENERAL FEATURES 60V, 4A, Rps(on) = 85mQ @Vgs = 10V. Rpsion) = 100mQ @Vgs = 4.5V. High dense cell design for extremely low Rps(on)- Rugged and reliable. Lead free product is acquired. SOT-223 package.

文件:1.94103 Mbytes 页数:5 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

NTF3055-100T1G

Power MOSFET 3.0 Amps, 60 Volts

文件:113.78 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTF3055-100T1G

Power MOSFET

文件:80.42 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTF3055-100T1G

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件:1.01057 Mbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

详细参数

  • 型号:

    NTF3055-100T1G

  • 功能描述:

    MOSFET 60V 3A N-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON/安森美
25+
SOT-223
37772
ON/安森美全新特价NTF3055-100T1G即刻询购立享优惠#长期有货
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120000
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更多NTF3055-100T1G供应商 更新时间2025-12-7 14:14:00