丝印：3055L；Package：SOT-223；N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：873.32 Kbytes 页数：4 Pages

KEXIN

科信电子

丝印：3055L；Package：SOT-223；Power MOSFET 3.0 A, 60 V, Logic Level, N?묬hannel SOT??23

文件：80.8 Kbytes 页数：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

丝印：3055L；Package：SOT-223；3.0 A, 60 V, Logic Level, N.Channel SOT??23

文件：79.23 Kbytes 页数：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

丝印：3055L；Package：SOT-223；Power MOSFET

文件：81.84 Kbytes 页数：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

丝印：3055L；Package：SOT-223；N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：370.28 Kbytes 页数：4 Pages

SECOS

喜可士

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES • 60V, 3.7A, RDS(ON) = 100 mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 120 mΩ @VGS = 4.5V. • High dense cell design for low RDS(ON) • Rugged and reliable. • SOT-89 Package

文件：495.95 Kbytes 页数：5 Pages

CET

华瑞

60V N -Channel MOSFET

Features • Lower RDS(on) • Lower VDS(on) • Tighter VSD Specification • Lower Diode Reverse Recovery Time • Lower Reverse Recovery Stored Charge

文件：440.66 Kbytes 页数：7 Pages

UMW

友台半导体

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件：141.04 Kbytes 页数：4 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商